型号 | PHT8N06LT,135 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223 |
PHT8N06LT,135 PDF | |
代理商 | PHT8N06LT,135 |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 5A,5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.2nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | SC-73 |
包装 | 标准包装 |
其它名称 | 568-7369-6 |